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Ishizaki等进行了带缺陷**疏水膜层的腐蚀机理研究,由于裂缝的存在使膜层局部区域的疏水性降低,腐蚀介质通过裂缝渗入,从而发生腐蚀,伴随着腐蚀产物的积累,膜层被进一步破坏,使表面由**疏水状态变为**亲水状态,腐蚀扩展,较终**疏水膜层破坏。如何避免或减轻这些缺陷带来的不利影响,是**疏水膜层的研究课题之一。相法制备**疏水膜层的研究进展目前用于制备**疏水膜层的CVD方法包括常温常压化学气相沉积(常温常压CVD)、等离子体增强化学气相沉积(PECVD)、气溶胶辅助化学气相沉积(::CVD)等。温常压化学气相沉积常温常压CVD不需要复杂精密设备,沉积薄膜组成及结构可控,具有成本低、操作简单、制备膜层重复性好、膜层均匀、适用范围广以及对基体材料无损害等优点。Rollings等研究了三氯(TCMS)合成纳米纤维的影响因素,包括反应物浓度和配比、反应物分布均一性、合成时间和催化剂用量;相关学者还研究了反应温度对制备膜层疏水性的影响;Karla等采用拉曼原位监测技术研究了CVD制备碳纳米管(CNT)的形成和生长过程。